การโอเวอร์คล็อกเป็นศิลปะที่มีอยู่ตลอดประวัติศาสตร์ของพีซี - ใครไม่ต้องการดึงประสิทธิภาพเพิ่มเติมจากชิ้นส่วนของฮาร์ดแวร์ที่พวกเขาซื้อมาแล้วโอเวอร์คล็อกซีพียูของคุณหรือการ์ดกราฟิกโดยปกติจะได้รับความสนใจทั้งหมดเนื่องจากประสิทธิภาพที่สำคัญที่คุณได้รับจากการโอเวอร์คล็อกอย่างไรก็ตามการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำยังสามารถสร้างผลประโยชน์ที่เห็นได้ชัดเจนหากคุณเต็มใจที่จะทำงาน
ตะโกนนำการปรับปรุงที่น่าตื่นเต้นมากมายผ่าน DDR4 รวมถึงประสิทธิภาพแบนด์วิดท์และการยกระดับความจุเมื่อเปิดตัวด้วย Intel'sทะเลสาบออลเดอร์-อย่างที่คุณจินตนาการชิปรุ่นต่อไปเช่นทะเลสาบ Raptorและ AMD'sRyzen 7000จะรองรับหน่วยความจำใหม่ดังนั้นคุณจะเห็นตัวเลือกใหม่มากมายในตลาดเร็ว ๆ นี้
ข้อแม้เพียงอย่างเดียวคือ DDR5 อยู่ในช่วงแรกของวงจรชีวิตดังนั้นจึงไม่ได้อยู่ในระดับเดียวกับหน่วยความจำ DDR4 ประสิทธิภาพสูงนั่นทำให้รู้สึกตั้งแต่ DDR4 ออกมาระยะหนึ่งแล้วอย่างไรก็ตามนั่นไม่ได้หมายความว่าเราไม่สามารถโอเวอร์คล็อก DDR5 เพื่อบีบประสิทธิภาพมากขึ้นจากชุดหน่วยความจำมีความเสี่ยงเสมอเมื่อใช้ฮาร์ดแวร์นอกข้อกำหนดของผู้ผลิตและการรับประกันผลิตภัณฑ์จะไม่ครอบคลุมการโอเวอร์คล็อกเช่นกันอย่างไรก็ตามการโอเวอร์คล็อกจะไม่ส่งผลกระทบต่อความเป็นอยู่ที่ดีของฮาร์ดแวร์ของคุณหากทำอย่างถูกต้องและอยู่ในขอบเขตที่เหมาะสม
ผู้ที่ชื่นชอบและผู้ใช้ทั่วไปหลายคนจะใช้โปรไฟล์ XMP ในชุดหน่วยความจำของพวกเขาซึ่งเป็นวิธีการอัตโนมัติในการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำหากคุณสนใจที่จะใช้เทคนิคนั้นให้ตรงไปที่วิธีเปิดใช้งาน XMPบทความ.หากคุณกำลังมองหาการแยกประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้นนี่คือคำแนะนำของเราในการเขียนประสิทธิภาพสูงสุดจากชุดหน่วยความจำ DDR5 ของคุณ
รู้จัก DDR5 ICS ของคุณ
วงจรรวมที่แตกต่างกัน (ICS) ทำงานแตกต่างกันและเป็นสถานการณ์เดียวกันสำหรับ DDR5ในขณะที่ ICS บางตัวอาจโดดเด่นกว่าที่จะตีความถี่ที่สูงขึ้นผู้ผลิตรายใหญ่รวมถึง Micron, Samsung และ SK Hynix ได้เปิดตัว ICS เริ่มต้นสำหรับ DDR5อย่างไรก็ตาม DDR5 ยังคงเปียกอยู่ด้านหลังหูดังนั้นเราจึงไม่มี ICS ให้เลือกมากมาย
ไม่มี IC สองตัวเหมือนกันแม้ว่าพวกเขาจะมาจากแบรนด์และผลิตภัณฑ์เดียวกันตัวอย่างเช่นแม้ว่า IC“ X” บางตัวสามารถโอเวอร์คล็อกได้เกิน DDR5-6000 นั่นไม่ได้หมายความว่า ICS“ X” ทั้งหมดมีศักยภาพที่จะทำเช่นนั้นดังนั้นในที่สุดก็ยังมีลอตเตอรีซิลิคอนเล็กน้อยที่เกี่ยวข้อง
Thaiphoon Burner เป็นยูทิลิตี้ที่ยอดเยี่ยมในการอ่าน SPD บนโมดูลหน่วยความจำ DDR4 เพื่อค้นหาว่า ICS ใดที่พวกเขาพกพาโดยไม่ต้องแยกความร้อนออกจากกันน่าเสียดายเนื่องจากการขาดเอกสารจากเจเดคนักพัฒนาที่อยู่เบื้องหลัง Thaiphoon Burner จึงไม่สามารถเพิ่มการสนับสนุนสำหรับ DDR5 ได้
โชคดีที่ CPU-Z สามารถรับผู้ขาย IC บนโมดูลหน่วยความจำ DDR5 ได้แม้ว่าจะไม่สามารถระบุรุ่น IC ที่แน่นอนได้ในขณะนี้คุณลักษณะนี้มีประโยชน์เนื่องจากไม่มี ICS จำนวนมากจาก บริษัท เดียวกันอย่างไรก็ตามเมื่อผู้ผลิตมีมากกว่าหนึ่ง IC ในตลาด CPU-Z จะไม่ได้รับความช่วยเหลือใด ๆ เลยเว้นแต่ผู้พัฒนาจะหาวิธีตรวจสอบ ICS ที่เฉพาะเจาะจง
อยู่บนขอบตัด: รับจดหมายข่าวฮาร์ดแวร์ของทอม
รับข่าวที่ดีที่สุดของฮาร์ดแวร์ของทอมและบทวิจารณ์เชิงลึกตรงไปที่กล่องจดหมายของคุณ
ปัดเพื่อเลื่อนแนวนอน
| ผู้ขาย IC | หมายเลขชิ้นส่วน IC | การแก้ไขตาย |
|---|---|---|
| ไมครอน | MT60B2G8HB-48B, MT60B1G16HC-48B | a-die |
| ซัมซุง | K4RAH086VB-BCQK | b-die |
| en hynix | H5CG48MEBDX014, H5CG46MEBDX015 | m-die |
| en hynix | H5CG48AGBDX018 | a-die |
ในวันที่ DDR4 Samsung B-Die ICS เป็นมาตรฐานทองคำสำหรับการกำหนดเวลาที่แน่นหนาด้วย DDR5 เราพบว่า SK Hynix M-Die สามารถใช้การกำหนดเวลาที่คล้ายกันกับ B-DIEขึ้นอยู่กับประสบการณ์ของเราที่แตกต่างกันชุดหน่วยความจำ DDR5M-Die ICS ของ SK Hynix มีศักยภาพในการโอเวอร์คล็อกสูงสุดตัวอย่างเช่นเราสามารถรับ M-DIE ได้สูงเท่ากับ DDR5-6600, โอเวอร์คล็อกชุดหน่วยความจำ DDR5-4800 M-DIE อย่างเท่าเทียมกันและค้นหาเสถียรภาพที่ DDR5-6000
อีกครั้งเราต้องเน้นว่าสิ่งเหล่านี้เป็นเพียงการสังเกตเบื้องต้นของเรากับ ICS รุ่นปัจจุบันสถานการณ์อาจเปลี่ยนแปลงได้เมื่อเวลาผ่านไปและ ICS เติบโตขึ้นหรือ ICS ใหม่เข้าสู่ตลาดแต่อย่างน้อยตอนนี้เราจัดอันดับ ICS ตามลำดับนี้สำหรับการโอเวอร์คล็อก: SK Hynix M-Die, Samsung B-Die และ Micron A-Die
เมื่อโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำก่อนอื่นเราพยายามกำหนดแรงดันไฟฟ้าที่ปลอดภัยสูงสุดที่เราสามารถใช้สำหรับ ICS ที่แตกต่างกันSamsung บอกกับเราว่า บริษัท ไม่รับประกันแรงดันไฟฟ้าโอเวอร์คล็อกสำหรับ ICS แต่ DC สูงสุดของแรงดันไฟฟ้าท่อระบายน้ำคือ 1.4Vเราได้ติดต่อตัวแทน SK Hynix และ Micron เพื่อสอบถามเกี่ยวกับ ICS ของพวกเขาน่าเศร้าที่เราไม่ได้รับข้อเสนอแนะใด ๆ เกี่ยวกับเรื่องนี้อย่างไรก็ตามเราได้พูดคุยกับผู้ขายหน่วยความจำต่าง ๆ และฉันทามติก็คือ 1.4V เป็นแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสำหรับการใช้งานรายวัน
กระบวนการโอเวอร์คล็อก
1. ตั้งค่าอัตราข้อมูลเป้าหมาย DRAM ของคุณขั้นตอนแรกคือการพิจารณาว่าคุณต้องการผลักดันหน่วยความจำ DDR5 ของคุณไปไกลแค่ไหนมีสองวิธี: คุณสามารถเลือกอัตราข้อมูลสูงและทำงานได้จากที่นั่นหรือคุณสามารถเลือกอัตราข้อมูลที่เรียบง่ายขึ้นและทำงานเพื่อค้นหาเพดานสำหรับชุดหน่วยความจำของคุณ
สำหรับการอ้างอิงอัตราส่วนเริ่มต้นสำหรับ DDR5 คือ 100: 100อย่างไรก็ตามอัตราข้อมูลเฉพาะมีให้เฉพาะกับอัตราส่วน 100: 133 เช่น DDR5-5333 หรือ DDR5-6666
เช่นเดียวกับ Rocket Lake, Alder Lake ยังมีอัตราส่วน BCLK/DRAM สองอัตรา: 100: 100 และ 100: 133ด้วย Rocket Lake อัตราส่วน 100: 133 ทำงานได้ดีขึ้นอย่างไรก็ตามในทะเลสาบ Alder อัตราส่วน 100: 100 มีประสิทธิภาพที่คล้ายกัน
Alder Lake มีโหมดเกียร์สามโหมดสำหรับหน่วยความจำ แต่ Gear 2 เป็นเพียงการตั้งค่าเดียวที่สำคัญสำหรับการโอเวอร์คล็อก DDR5 ระดับผู้ที่ชื่นชอบตัวควบคุมหน่วยความจำและหน่วยความจำทำงานที่ความถี่เดียวกันในเกียร์ 1 (1: 1) ในขณะที่เกียร์ 2 ให้หน่วยความจำทำงานได้เร็วกว่าตัวควบคุมหน่วยความจำ (2: 1)ในที่สุด Gear 4 จะเรียกใช้หน่วยความจำเร็วกว่าตัวควบคุมหน่วยความจำสี่เท่า (4: 1)
Gear 1 ไม่ทำงานกับ DDR5 เนื่องจากการกำหนดค่าเริ่มต้นคือ Gear 2 และ Gear 4 จะไม่เข้ามาเล่นจนกว่าคุณจะได้อัตราข้อมูลสูงถึง DDR5-8000 ขึ้นไปดังนั้นคุณควรใช้ Gear 2 สำหรับการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำ DDR5 ส่วนใหญ่เท่านั้นแม้ว่าการโอเวอร์คล็อกเกอร์ที่รุนแรงโดยใช้ไนโตรเจนเหลวอาจจำเป็นต้องก้าวขึ้นไปที่เกียร์ 4
2. การกำหนดเวลาหน่วยความจำขั้นตอนนี้เป็นส่วนทดลองและข้อผิดพลาดของกระบวนการโอเวอร์คล็อกและอาจใช้เวลานานDDR5 มีการกำหนดเวลาหน่วยความจำหลักสี่ประการเดียวกัน (CAS Latency, TRCD, TRP และ TRAS) เป็น DDR4เคล็ดลับคือการใช้ขั้นตอนทารกเพิ่มการกำหนดเวลาแต่ละครั้งโดยเพิ่มรอบการแข่งขันหนึ่งหรือสองรอบจากนั้นทดสอบเพื่อความมั่นคง
เราขอแนะนำให้คุณเริ่มต้นด้วยการกำหนดเวลาที่โฆษณาของชุดหน่วยความจำและไปจากที่นั่นหากการโอเวอร์คล็อกของคุณไม่เสถียรให้เพิ่มรอบนาฬิกาหนึ่งรอบในการกำหนดเวลาหากมีความเสถียรคุณสามารถลองลดรอบนาฬิกาหนึ่งรอบในการกำหนดเวลาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการโอเวอร์คล็อกของคุณ
คุณยังสามารถลองเล่นกับอัตราคำสั่งหากคุณรู้สึกผจญภัยสำหรับ DDR5 อัตราคำสั่งเริ่มต้นคือ 2T;อย่างไรก็ตาม 1t เป็นไปได้ขึ้นอยู่กับ ICเราสามารถให้ Samsung และ SK Hynix ICS ทำงานได้ที่ 1T แต่ไม่มีโชคมากกับ Micron ICS
การโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำเป็นมากกว่าแค่การเล่นกับการกำหนดเวลาหลักสี่ครั้ง: คุณจะได้รับผลการดำเนินงานที่สำคัญจากการปรับแต่งทุติยภูมิและแม้กระทั่งการกำหนดเวลาตติยภูมิอย่างไรก็ตามนั่นเกินขอบเขตของบทความนี้ดังนั้นเราจะไม่ลงหลุมกระต่ายนั้น
3. เพิ่มแรงดันไฟฟ้ามีการตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าค่อนข้างน้อยที่มีผลกระทบต่อการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำ แต่ผู้ใช้โดยเฉลี่ยสามารถทำได้ด้วยการปรับแต่งสี่ครั้งคุณสามารถออกจากแรงดันไฟฟ้าอื่นตามดุลยพินิจของเมนบอร์ดของคุณ
DRAM VDD:แรงดันไฟฟ้านี้เป็นหนึ่งในสิ่งที่สำคัญที่สุดในขณะที่มันให้อำนาจชิปหน่วยความจำสำหรับการใช้งานในชีวิตประจำวันเราขอแนะนำให้รักษาความปลอดภัยให้ต่ำกว่า 1.4V เพื่อความปลอดภัย
DRAM VDDQ:แรงดันไฟฟ้าฟีด I/O ของชิปหน่วยความจำโดยทั่วไปแล้ว VDD และ VDDQ จะไปด้วยกันอย่างไรก็ตามในบางกรณีการสังเคราะห์แรงดันไฟฟ้าและการใช้ VDDQ ที่สูงขึ้น (50 mV - 100 mV) สามารถช่วยรักษาเสถียรภาพของหน่วยความจำโอเวอร์คล็อก
CPU VDDQ:แรงดันไฟฟ้าที่ไปยังคอนโทรลเลอร์หน่วยความจำของโปรเซสเซอร์1.2V เพียงพอสำหรับ DDR5-4800 ถึง DDR5-6000 ในขณะที่ 1.4V ควรสูงพอสำหรับ DDR5-6200 และอื่น ๆ
VCCSA:นี่คือแรงดันไฟฟ้าสำหรับเอเจนต์ระบบ แต่ช่วยให้หน่วยความจำโอเวอร์คล็อกมันเป็นหนึ่งในแรงดันไฟฟ้าที่ละเอียดอ่อนมากขึ้นดังนั้นใช้การเพิ่มขึ้นเล็กน้อยตัวอย่างเช่น 1.25V ถึง 1.35V เพียงพอสำหรับการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำส่วนใหญ่เป็นการดีที่สุดที่จะรักษา VCCSA ให้ต่ำกว่า 1.4V
4. ทดสอบเสถียรภาพของโอเวอร์คล็อกในขณะที่ผู้ใช้บางคนทำการทดสอบความเครียดเป็นเวลาสองสามชั่วโมงคุณต้องตัดสินใจว่าความมั่นคงของหน่วยความจำมีความสำคัญต่อระบบของคุณและเวลาที่คุณต้องการลงทุนในการทดสอบมากแค่ไหนนอกจากนี้โปรแกรมที่แตกต่างกันใช้อัลกอริทึมที่แตกต่างกันสำหรับการจับข้อผิดพลาดแทนที่จะพึ่งพาโปรแกรมเดียวเราขอแนะนำให้คุณใช้การรวมกันสองครั้งขึ้นไปเพื่อทดสอบความมั่นคง
ไม่ว่าจะด้วยวิธีใดก็ตามอย่าจับจ้องที่จะลงโทษหน่วยความจำ DDR5 ของคุณมากเกินไปเมื่อคุณพอใจกับการโอเวอร์คล็อกการใช้งานประจำวันในที่สุดก็เป็นการทดสอบความมั่นคงที่ดีที่สุด
5. บันทึกโอเวอร์คล็อกของคุณย้อนกลับไปในสมัยก่อนคุณต้องจดจำการตั้งค่าโอเวอร์คล็อกความทรงจำของคุณหรือจดบันทึกลงบนกระดาษDDR5 มาพร้อมกับมาตรฐาน XMP 3.0 ใหม่ผลักจำนวนโปรไฟล์หน่วยความจำทั้งหมดเป็นห้าผู้ใช้สองโปรไฟล์เหล่านี้มีให้บริการดังนั้นเราขอแนะนำให้ใช้พวกเขาเมื่อคุณพบการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำที่เสถียรของคุณอย่าลืมบันทึกไว้ในโมดูลหน่วยความจำ DDR5 ของคุณตัวเลือกแตกต่างกันไปตามเมนบอร์ด แต่คุณสามารถค้นหาคุณสมบัติในส่วน DRAM ได้
ซอฟต์แวร์ทดสอบเสถียรภาพ
มีตัวเลือกมากมายสำหรับการทดสอบการโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำ แต่เราได้รวบรวมรายการเล็ก ๆ ของเครื่องมือที่แพร่หลายและใช้งานได้จริงที่สุดหลายคนฟรี แต่บางคนต้องการใบอนุญาต
- memtest86:ซอฟต์แวร์โรงเรียนเก่าสำหรับการทดสอบหน่วยความจำยังคงเป็นหนึ่งในตัวเลือกที่ดีที่สุดโปรแกรมจะบูตไดรฟ์ปากกา USB เพื่อทดสอบเสถียรภาพของโอเวอร์คล็อกโดยไม่ต้องป้อน Windows
- HCI memtest:ซอฟต์แวร์รับข้อผิดพลาดของหน่วยความจำได้อย่างรวดเร็ววิธีที่ดีที่สุดคือการเปิดหนึ่งอินสแตนซ์ต่อเธรด CPU และแบ่งหน่วยความจำออกเป็นส่วนที่เท่ากันสำหรับการทดสอบ
- การทดสอบแอปพลิเคชันของ Google Stressful (GSAT):หากคุณเป็นคน Linux ไม่มียูทิลิตี้ที่ดีกว่าสำหรับการทดสอบหน่วยความจำมากกว่า GSATGoogle ใช้ซอฟต์แวร์นี้เพื่อทดสอบเครื่องจักร
- การทดสอบ Karhu Ram:ซอฟต์แวร์นั้นดีในสิ่งที่ทำและรองรับหน่วยความจำสูงสุด 8TBน่าเศร้าที่มันไม่ฟรีและต้องใช้ใบอนุญาต $ 10
- testMem5:ซอฟต์แวร์ที่มีน้ำหนักเบาและมั่นคงนี้รองรับการกำหนดค่าที่กำหนดเองการกำหนดค่า ANTA777 Extreme และ Absolut เป็นที่นิยมมากที่สุดและใช้กันอย่างแพร่หลาย
การกำหนดเวลา DRAM ที่ปรับให้เหมาะสม
ไม่มีทางลัดในการกดปุ่มโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำสูงสุดของคุณอย่างไรก็ตามเราได้รวบรวมตารางขนาดเล็กที่มีการกำหนดค่าที่ดีที่สุดที่เป็นไปได้ในชุดหน่วยความจำ DDR5 ที่มีอยู่สิ่งเหล่านี้ไม่ใช่สูตรเวทมนตร์ที่คุณสามารถเสียบเข้ากับเมนบอร์ดของคุณโดยไม่ต้องทดสอบ - โปรดจำไว้ว่าทุกชุดหน่วยความจำทุกชุดจะแตกต่างกันไม่ว่าพวกเขาจะมี IC เดียวกันหรือไม่อย่างไรก็ตามการกำหนดค่าพื้นฐานเหล่านี้สามารถทำหน้าที่เป็นหินก้าวสำหรับคุณและคุณสามารถไปจากที่นั่นอย่ากลัวที่จะลองชุดค่าผสมอื่น ๆ
เราติดอยู่กับอัตราข้อมูลมาตรฐานที่คุณสามารถหาได้ในตลาดเช่น DDR5-4800, DDR5-5200 ฯลฯ อย่างไรก็ตามคุณสามารถทดลองกับอัตราข้อมูลที่ผิดปกติอื่น ๆ เช่น DDR5-5066
ปัดเพื่อเลื่อนแนวนอน
| อัตราข้อมูล | การกำหนดเวลา | แรงดันไฟฟ้า |
|---|---|---|
| Derch-6400 | 40-40-40-90, 42-42-42-90, 44-44-44-90 | 1.35V - 1.40V |
| Derch-6200 | 32-38-38-77, 36-36-36-77, 36-38-38-77 | 1.35V - 1.40V |
| Derch-6000 | 36-36-36-77, 36-38-38-77, 38-38-38-77 | 1.35V - 1.40V |
| Derch-5600 | 36-36-36-77, 36-38-38-77, 38-38-38-77 | 1.30V - 1.35V |
| Derch-5200 | 36-36-36-77, 36-38-38-77, 38-38-38-77 | 1.20V - 1.30V |
| Derch-4800 | 34-36-36-77, 36-36-36-77, 36-38-38-77 | 1.10V - 1.20V |
z สวัสดีใบไม้ l iu
Ram Reviewer and News Editor
Zhiye Liu เป็นนักเขียนข่าวอิสระที่ Tom's Hardware USแม้ว่าเขาจะรักทุกสิ่งที่เป็นฮาร์ดแวร์ แต่เขาก็มีจุดอ่อนสำหรับซีพียู GPU และ RAM
เพิ่มเติมเกี่ยวกับ DDR5
ล่าสุด
2 ความคิดเห็นความคิดเห็นจากฟอรัม
เบอร์เกอร์ wifi ฉันจะไม่เชื่อถือรายการใด ๆ สำหรับการทดสอบความมั่นคงที่คุณรวมอยู่
ฉันจะทำ 1H สูงสุดของ HCI-memtest เพื่อให้แน่ใจว่ามันไม่ได้เป็นอาหารมื้อเย็นที่ไม่เสถียรและย้ายไปที่
y-cruncher ทั้งหมดหลัก, รอบการทดสอบความเครียดทั้งหมด;จะตีหน่วยความจำ / คอนโทรลเลอร์หน่วยความจำยากมากสิ่งอื่นใดคือเสียเวลา
คุณสามารถส่งผ่าน Prime95 ขนาดใหญ่ HCI-memtest เป็นเวลาหลายสัปดาห์ไม่หยุดและผิดพลาด/รีบูตบน y-cruncher หรือเกมของคุณใน 5 นาทีด้วยหน่วยความจำ OCตอบ
puffin_time ฉันมีชุด Hynix ที่ได้รับการจัดอันดับที่ 6000 CL36 มันจะเป็นไปได้หรือคุ้มค่าที่จะลอง 6400?และถ้าเป็นเช่นนั้นฉันควรทำงานจากการกำหนดเวลา XMP เป็นจุดเริ่มต้นหรือไม่?
ตอบ
